单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V80 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）150mA（Ta）200mA470mA（Ta）850mA（Ta）1.2A（Ta）2.2A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 20A，10V270 毫欧 @ 1.2A，10V365 毫欧 @ 1.2A，10V400 毫欧 @ 500mA，4.5V900 毫欧 @ 280mA，4.5V5 欧姆 @ 200mA，10V7 欧姆 @ 1A，10V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）680mV @ 1mA（典型值）2V @ 1mA2.5V @ 250µA3.8V @ 27µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V2.1 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V45 pF @ 25 V83 pF @ 24 V110 pF @ 24 V110 pF @ 25 V500 pF @ 40 V549 pF @ 50 V1525 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
250mW（Tc）350mW（Ta）360mW（Ta）417mW（Ta）540mW（Ta）710mW（Ta），8.3W（Tc）760mW（Ta），2.5W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-33SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-236AB（SOT23）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
180,018
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,622
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
20,850
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,265
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
270 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW（Ta），2.5W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TDSON833
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Infineon Technologies
19,662
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.50150
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
13 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 27µA
24 nC @ 10 V
±20V
1525 pF @ 50 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV240SPR
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
4,200
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
-
365 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
549 pF @ 50 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH203,215
MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
66,244
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
470mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 280mA，4.5V
680mV @ 1mA（典型值）
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
110 pF @ 24 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TN5325K1-G
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Microchip Technology
11,571
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26910
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
150mA（Ta）
4.5V，10V
7 欧姆 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TA）
-
-
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。