单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Littelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PolarPowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）300mA（Tc）5.9A（Tc）10A（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 10A，10V16 毫欧 @ 500mA，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V21 nC @ 10 V70 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V590 pF @ 15 V2900 pF @ 15 V4900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）830mW（Ta）1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Ta）600W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-268AA
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,063
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
111,849
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,637
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.9A（Tc）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS5670
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
onsemi
18,932
现货
12,500
工厂
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.29185
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
6V，10V
14 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-268
IXTT120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Littelfuse Inc.
270
现货
990
工厂
1 : ¥95.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
120A（Tc）
10V
16 毫欧 @ 500mA，10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。