单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）350mA（Ta）5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 4.3A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V9 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.2 pF @ 30 V50 pF @ 10 V340 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）380mW（Ta），2.8W（Tc）1.25W（Ta），2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN0606-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
3-XFDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
915,610
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
3,229
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN0606-3
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
29,561
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.27355
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
4.5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。