单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)380mA(Ta)9A(Ta)27A(Ta),85A(Tc)32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 50A,10V1.6 毫欧 @ 20A,10V14 毫欧 @ 9A,4.5V2 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA2V @ 20µA2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V34 nC @ 4.5 V61 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19 pF @ 25 V50 pF @ 25 V2175 pF @ 10 V4300 pF @ 20 V6550 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)370mW(Ta)1.7W(Ta),12.5W(Tc)2.3W(Ta),83W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)DFN2020MD-6PG-SOT23SOT-23-3SuperSO8
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
68,195
现货
58,617,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
383,551
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Infineon Technologies
14,869
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.96061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SuperSO8
8-PowerTDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNEZ
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
17,534
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
1.8V,4.5V
14 毫欧 @ 9A,4.5V
900mV @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2175 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-DFN
AON6240
MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
31,472
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.64994
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27A(Ta),85A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
6550 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。