单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™ 5U-MOSVIπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.3V，10V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.6 毫欧 @ 22A，10V700毫欧 @ 200MA，10V1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 100µA2V @ 1mA2.3V @ 23µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V82 pF @ 10 V1300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1.2W（Ta）2.5W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6SOT-23-3USM
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Infineon Technologies
12,917
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.29025
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 23µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
71,531
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51125
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
3.3V，10V
700毫欧 @ 200MA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
29,988
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76808
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4V，10V
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
2V @ 1mA
3 nC @ 10 V
+20V，-16V
82 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。