单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Nexperia USA Inc.Panjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）270mA（Ta）1.1A（Ta）6A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 4A，10V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V42 毫欧 @ 5A，10V43 毫欧 @ 6A，10V370 毫欧 @ 1.1A，4.5V2欧姆 @ 50MA，2.5V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.3V @ 250µA1.5V @ 100µA2.4V @ 100µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V70 pF @ 3 V125 pF @ 15 V560 pF @ 15 V840 pF @ 10 V1110 pF @ 20 V1260 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）270mW（Ta），1.3W（Tc）1W（Ta）1.25W（Ta）1.5W（Ta）15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
6-TSOP-FDFN2020MD-6SC-59-3SOT-23SOT-23FTO-236AB
封装/外壳
6-SMD，扁平引线6-UDFN 裸露焊盘SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
94,973
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
767,389
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
19,576
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30178
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 6A，10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
62,469
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
9,823
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46178
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
1.8V，4.5V
370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1.3V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
125 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
7,404
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.55743
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
2.5V
2欧姆 @ 50MA，2.5V
1.5V @ 100µA
-
±20V
70 pF @ 3 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-TSOP-F
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
Toshiba Semiconductor and Storage
5,610
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18679
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 4A，10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
1.5W（Ta）
175°C
-
-
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD，扁平引线
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。