单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A(Ta),16A(Tc)86A(Tc)92A(Tc)100A(Ta)100A(Tc)118A(Tc)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 100A,10V4 毫欧 @ 43A,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 25A,10V4.5 毫欧 @ 46A,10V6.4 毫欧 @ 16A,10V6.8mOhm @ 18A,10V7.5 毫欧 @ 15A,10V7.8 毫欧 @ 25A,10V110 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 600µA3.8V @ 275µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V48 nC @ 10 V57 nC @ 10 V58 nC @ 10 V63.3 nC @ 10 V69 nC @ 10 V90 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
880 pF @ 50 V1500 pF @ 30 V3478 pF @ 25 V3870 pF @ 50 V5200 pF @ 50 V5300 pF @ 40 V5347 pF @ 25 V6009 pF @ 40 V6320 pF @ 40 V16250 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)960mW(Ta),170W(Tc)2.3W(Ta),35W(Tc)3.2W(Ta),116W(Tc)3.3W(Ta),125W(Tc)152W (Tj)234W(Tc)238W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C175°C
供应商器件封装
8-MLP(3.3x3.3)8-SOP Advance(5x5.75)8-VSONP(5x6)DFN5060LFPAK56,Power-SO8PG-HSOG-8-1PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD19531Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,080
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.28608
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
6.4 毫欧 @ 16A,10V
3.3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
3,319
现货
1 : ¥50.41000
剪切带(CT)
1,800 : ¥26.05847
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD,鸥翼
8-Power TDFN
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
18,103
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
250 : ¥5.73700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
6.8mOhm @ 18A,10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8 POWER WDFN
FDMC3612
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
onsemi
7,544
现货
660,000
工厂
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.51605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.3A(Ta),16A(Tc)
6V,10V
110 毫欧 @ 3.3A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R8-80EX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,343
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.04215
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
10V
7.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
63.3 nC @ 10 V
±20V
5347 pF @ 25 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Toshiba Semiconductor and Storage
2,128
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.96123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
86A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 43A,10V
3.5V @ 600µA
57 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 40 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
6,375
现货
1 : ¥16.67000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.55644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
92A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
800mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
PowerPAK_SO-8L_Primary
SQJ184EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,838
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.57126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
118A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3478 pF @ 25 V
-
234W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
DFN5060
MCAC100N08YA-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Micro Commercial Co
14,876
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.37970
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
6320 pF @ 40 V
-
152W (Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R5-80YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,390
现货
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.13481
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
7V,10V
4.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±20V
6009 pF @ 40 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。