单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）3.2A（Ta），13A（Tc）3.5A（Ta），13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
89 毫欧 @ 1.5A，4.5V107 毫欧 @ 3A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V833 pF @ 20 V2045 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）2.3W（Ta），62W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPower33SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerWDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
204,920
现货
1,713,000
工厂
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5540
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
1,176
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41696
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta），13A（Tc）
4.5V，10V
89 毫欧 @ 1.5A，4.5V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Power33
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
onsemi
4,584
现货
1 : ¥22.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.14902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3.2A（Ta），13A（Tc）
6V，10V
107 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
199,939
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。