单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-MDmesh™ VOptiMOS™StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)190mA(Ta)1.4A(Ta)12A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)120A(Tj)203A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 100A,10V2.7 毫欧 @ 50A,10V3.95 毫欧 @ 25A,10V4.8 毫欧 @ 25A,10V220 毫欧 @ 1.6A,10V299 毫欧 @ 6A,10V6 欧姆 @ 190mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 13µA2.3V @ 49µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA4.6V @ 265µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V200 nC @ 10 V246 nC @ 10 V278 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20.9 pF @ 25 V50 pF @ 25 V401 pF @ 25 V1250 pF @ 100 V4400 pF @ 30 V12000 pF @ 75 V14400 pF @ 50 V16370 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)500mW(Ta)1.3W(Ta)3.8W(Ta),556W(Tc)83W(Tc)90W(Tc)405W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDPAKPG-SOT23PG-TDSON-8-7PG-TO247-3SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,050
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
172,289
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
106,809
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12975
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
745
现货
1 : ¥19.29000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.36036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,942
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.30221
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
299 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,872
现货
1 : ¥33.74000
剪切带(CT)
800 : ¥20.35078
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
15,253
现货
1 : ¥37.68000
剪切带(CT)
800 : ¥22.76794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.95 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
246 nC @ 10 V
±20V
16370 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF150P220AKMA1
IRF150P220AKMA1
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Infineon Technologies
1,444
现货
1 : ¥91.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
203A(Tc)
10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
4.6V @ 265µA
200 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),556W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。