单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

APT24F50B MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Microchip Technology	296 现货	1 : ¥39.49000 管件	POWER MOS 8™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	24A（Tc）	10V	240 毫欧 @ 11A，10V	5V @ 1mA	90 nC @ 10 V	±30V	3630 pF @ 25 V	-	335W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247 [B]	TO-247-3
SIHG24N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	382 现货	1 : ¥38.50000 管件	EF	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	20A（Tc）	10V	195 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±30V	1889 pF @ 100 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
R6547ENZ4C13 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER Rohm Semiconductor	325 现货	1 : ¥52.62000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	47A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 25.8A，10V	4V @ 1.72mA	150 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 25 V	-	480W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-247G	TO-247-3
IRFP246 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	5,674 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	275 V	15A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247	TO-247-3
IRFP351 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	323 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	350 V	16A（Tc）	10V	300 欧姆 @ 8.9A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 25 V	-	180W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247	TO-247-3
HUF75945G3 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	38A（Tc）	10V	71 毫欧 @ 38A，10V	4V @ 250µA	280 nC @ 20 V	±20V	4023 pF @ 25 V	-	310W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247AD	TO-247-3
FQH90N10V2 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	370 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	105A（Tc）	10V	10 毫欧 @ 52.5A，10V	4V @ 250µA	191 nC @ 10 V	±30V	6150 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247AD	TO-247-3
FQH35N40 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	846 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	35A（Tc）	10V	105 毫欧 @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 nC @ 10 V	±30V	5600 pF @ 25 V	-	310W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD	TO-247-3
AS1M025120P N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	124 现货	1 : ¥312.22000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	90A（Tc）	20V	34 毫欧 @ 50A，20V	4V @ 15mA	195 nC @ 20 V	+25V，-10V	3600 pF @ 1000 V	-	463W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
FCH76N60N POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor	563 市场	不可用对您所选的货币不可用	SupreMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	76A（Tc）	10V	36 毫欧 @ 38A，10V	4V @ 250µA	285 nC @ 10 V	±30V	12385 pF @ 100 V	-	543W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247	TO-247-3
APT29F100B2 MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Microchip Technology	49 现货	1 : ¥155.82000 管件	POWER MOS 8™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1000 V	30A（Tc）	10V	440 毫欧 @ 16A，10V	5V @ 2.5mA	260 nC @ 10 V	±30V	8500 pF @ 25 V	-	1040W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	T-MAX™ [B2]	TO-247-3 变式