单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
EPCInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTransphorm
系列
-CoolGaN™CoolMOS™ P7eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V100 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Tc)8A(Tc)8.2A(Tc)10A(Tc)10.4A(Tc)11A(Tc)11.5A(Tc)13A(Tc)15A(Tc)17A(Tc)20A(Tc)29A(Ta)31A(Tc)47.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V5V,5.5V6V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 25A,5V3.6mOhm @ 15A,5V41 毫欧 @ 32A,10V98 毫欧 @ 1.9A,5.5V140 毫欧 @ 5A,6V180 毫欧 @ 8.5A,10V190 毫欧 @ 3.9A,6V195 毫欧 @ 1.9A,5.5V600 毫欧 @ 3.4A,10V4.5 옴 @ 400mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA1,6V @ 960µA1.6V @ 530µA1.6V @ 690µA2.4V @ 18mA2.5V @ 12.2mA2.5V @ 17.2mA2.5V @ 7mA2.5V @ 9mA3.5V @ 170µA3.5V @ 20µA4.5V @ 1mA4.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7 nC @ 6 V2.8 nC @ 6 V3.5 nC @ 6 V4 nC @ 10 V5.2 nC @ 6 V8 nC @ 10 V8.5 nC @ 5 V12 nC @ 5 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V+6V,-10V+6V,-4V+7V,-1.4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
80 pF @ 500 V87.7 pF @ 400 V96 pF @ 400 V110 pF @ 400 V112 pF @ 400 V125 pF @ 400 V157 pF @ 400 V200 pF @ 400 V380 pF @ 400 V570 pF @ 500 V598 pF @ 400 V1000 pF @ 50 V1111 pF @ 20 V1500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
6W(Tc)7.4W(Tc)41.6W(Tc)52W(Tc)56W(Tc)62.5W(Tc)113W(Tc)114W(Tc)125W(Tc)187W(Tc)394W-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)8-WLCSP(3.5x2.13)DFN5060-5DFN8080-8DFN8080AKDFN8080KPG-DSO-20-85PG-HSOF-8-3PG-LSON-8-1PG-SOT223PG-TSON-8-7TO-247-3模具
封装/外壳
3-PowerTDFN8-LDFN 裸焊盘8-PowerDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘8-XFBGA,WLCSP20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)TO-247-3TO-261-4,TO-261AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,795
现货
1 : ¥94.74000
剪切带(CT)
2,000 : ¥55.82667
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
31A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
PG-SOT223
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Infineon Technologies
9,807
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.07371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 20µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 500 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Infineon Technologies
2,884
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.4A,10V
3.5V @ 170µA
20 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 500 V
-
7.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
GAN140-650FBEZ
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
1,908
现货
1 : ¥34.15000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.98061
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11.5A(Tc)
6V
190 毫欧 @ 3.9A,6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN5060-5
8-PowerVDFN
GAN080-650EBEZ
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,234
现货
1 : ¥37.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.69897
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11.5A(Tc)
6V
190 毫欧 @ 3.9A,6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
811
现货
1 : ¥39.82000
剪切带(CT)
1,500 : ¥14.65992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
60A
5V
3.2 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 9mA
12 nC @ 5 V
+6V,-4V
1000 pF @ 50 V
-
394W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WLCSP(3.5x2.13)
8-XFBGA,WLCSP
GNP1150TCA-ZE2
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Rohm Semiconductor
2,873
现货
1 : ¥41.95000
剪切带(CT)
3,500 : ¥20.41973
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11A(Tc)
5V,5.5V
195 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
2.7 nC @ 6 V
+6V,-10V
112 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN8080AK
8-PowerDFN
GAN140-650FBEZ
GAN140-650FBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,366
现货
1 : ¥47.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥17.13797
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
17A(Tc)
6V
140 毫欧 @ 5A,6V
2.5V @ 17.2mA
3.5 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
125 pF @ 400 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN5060-5
8-PowerVDFN
2,224
现货
1 : ¥52.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥25.35084
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Rohm Semiconductor
3,063
现货
1 : ¥77.83000
剪切带(CT)
3,500 : ¥38.35921
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
20A(Tc)
5V,5.5V
98 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
5.2 nC @ 6 V
+6V,-10V
200 pF @ 400 V
-
56W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN8080K
8-PowerDFN
1,479
现货
1 : ¥93.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥54.80045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
15A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Nexperia USA Inc.
208
现货
1 : ¥143.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
Transphorm
5,887
现货
1 : ¥39.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.25380
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
4,892
现货
1 : ¥35.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥16.62485
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
8.2A(Tc)
-
-
1.6V @ 530µA
-
-10V
87.7 pF @ 400 V
-
41.6W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-7
8-PowerTDFN
4,962
现货
1 : ¥38.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.85632
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10.4A(Tc)
-
-
1.6V @ 690µA
-
-10V
110 pF @ 400 V
-
52W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-7
8-PowerTDFN
794
现货
1 : ¥101.56000
剪切带(CT)
800 : ¥70.09563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
31A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-20-85
20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.04313
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
40 V
29A(Ta)
5V
3.6mOhm @ 15A,5V
2.5V @ 7mA
8.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
1111 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
0
现货
查看交期
3,000 : ¥25.35084
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
显示
/ 18

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。