单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）300mA（Ta）600mA（Tc）700mA（Ta）750mA（Ta）820mA（Ta）860mA（Ta）1.21A（Ta）1.3A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，4V1.8V，8V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.1 毫欧 @ 6A，8V150 毫欧 @ 950mA，4.5V175 毫欧 @ 300mA，4.5V200 毫欧 @ 900mA，4.5V550 毫欧 @ 600mA，4.5V620 毫欧 @ 600mA，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V970 毫欧 @ 100mA，5V1.2 欧姆 @ 100mA，4V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V2 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 4.5 V38.5 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.3 pF @ 10 V36 pF @ 16 V39 pF @ 3 V46.1 pF @ 10 V50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V64.3 pF @ 25 V67.62 pF @ 25 V458 pF @ 16 V1331 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）170mW（Ta）310mW（Ta）350mW（Ta）460mW（Ta）470mW（Ta）500mW（Ta）1W（Ta）2.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23FSOT-323SOT-523SOT-563SOT-883X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-UDFN3-UFDFN3-XFDFNSC-101，SOT-883SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线SOT-523SOT-563，SOT-666
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
639,794
现货
486,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51309
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
36 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
246,550
现货
2,247,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
107,394
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57289
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
29,318
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81914
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.8V，8V
22.1 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Diodes Incorporated
157,766
现货
1,434,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96976
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300mA（Ta）
1.8V，4V
1.2 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
-
±10V
39 pF @ 3 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Diodes Incorporated
389,674
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.5V，4.5V
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
onsemi
12,317
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.80195
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
860mA（Ta）
1.8V，4.5V
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563
SOT-563，SOT-666
X2-DFN1006-3
DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Diodes Incorporated
158,508
现货
740,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.45697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
700mA（Ta）
1.2V，5V
970 毫欧 @ 100mA，5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
460mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SC-101 SOT-883
PMZ600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
76,288
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40908
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
20 V
600mA（Tc）
-
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
-
21.3 pF @ 10 V
-
2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
3-XDFN
DMN2300UFD-7
MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Diodes Incorporated
2,708
现货
333,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67422
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.21A（Ta）
1.5V，4.5V
200 毫欧 @ 900mA，4.5V
950mV @ 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
67.62 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。