单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）270mA（Ta）1.4A（Ta）4A（Ta）16.9A（Ta），35A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，10V1.8V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 17A，10V7.2 毫欧 @ 15A，10V36 毫欧 @ 2.4A，4.5V160 毫欧 @ 1.4A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 100µA2V @ 3.7µA2.5V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V15.5 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.5 pF @ 15 V33 pF @ 5 V94 pF @ 15 V1890 pF @ 10 V3595 pF @ 15 V4810 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）390mW（Ta）500mW（Ta）510mW（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-SOT23PowerPAK® 1212-8SHSC-70-3（SOT323）TO-236ABX2-DFN0606-3
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SHSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSON (5x6)
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,705
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
4.9 毫欧 @ 17A，10V
3.2V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
598,951
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36093
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 1.4A，10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
35,184
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Vishay Siliconix
16,130
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00114
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.9A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
7.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
TO-236AB
PMV32UP,215
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
8,565
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
36 毫欧 @ 2.4A，4.5V
950mV @ 250µA
15.5 nC @ 4.5 V
±8V
1890 pF @ 10 V
-
510mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN0606-3
DMP32D9UFZ-7B
MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
8,937
现货
450,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.68428
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
1.2V，10V
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±10V
22.5 pF @ 15 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。