单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）5.3A（Ta）5.8A（Ta）6A（Ta）8A（Tc）13.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.6 毫欧 @ 20A，10V21 毫欧 @ 5A，4.5V21毫欧 @ 6A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V19.2 nC @ 10 V41 nC @ 4.5 V57.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V386 pF @ 15 V435 pF @ 15 V793 pF @ 15 V3950 pF @ 20 V4785 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）480mW（Ta），1.2W（Tc）510mW（Ta），6.94W（Tc）720mW（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPG-TSDSON-8SOT-23-3SOT-323TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,527
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
165,545
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
11,627
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.60597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
Pkg 5540
SQ3495EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,339
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80616
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
2.5V，10V
21 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
41 nC @ 4.5 V
±12V
3950 pF @ 20 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-236AB
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,992
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
480mW（Ta），1.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,116,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。