单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），19A（Tc）10.3A（Ta）11.3A（Ta），49A（Tc）11.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 10A，10V13 毫欧 @ 10A，10V13.8 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 420µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V26.5 nC @ 10 V68.6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
582 pF @ 20 V1030 pF @ 20 V1734 pF @ 20 V3426 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
990mW（Ta）1W（Ta）2.3W（Ta），15W（Tc）3.2W（Ta），61W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）DFN2020MD-6POWERDI3333-8U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,496
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
582 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-WDFN
NVTFS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
onsemi
2,723
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.61177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11.3A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
13.8 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 420µA
26.5 nC @ 10 V
±20V
1734 pF @ 20 V
-
3.2W（Ta），61W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
DMP4013LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,714
现货
56,000
工厂
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.91756
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6
DMTH4008LFDFWQ-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Diodes Incorporated
6,263
现货
290,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
10,000 : ¥1.66146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11.6A（Ta）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
14.2 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 20 V
-
990mW（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMP4013LFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,450
现货
2,175,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77683
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。