单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）2.3A（Ta）60A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.96 毫欧 @ 15A，10V6.11 毫欧 @ 30A，10V125 毫欧 @ 2.3A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V17.7 nC @ 10 V48 nC @ 4.5 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V637 pF @ 30 V4320 pF @ 10 V5150 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.1W（Ta）54.3W（Tc）205W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-26SOT-323TO-220SM（W）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SOT-23-6TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,843
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
755
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
4.5V，10V
0.96 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
+20V，-16V
5150 pF @ 10 V
-
54.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT 26
ZXMP6A17E6QTA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
6,247
现货
855,000
工厂
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 2.3A，10V
3V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
1,750
现货
1 : ¥24.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.21407
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Ta）
6V，10V
6.11 毫欧 @ 30A，10V
3.5V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
4320 pF @ 10 V
-
205W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-220SM（W）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。