单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）40A（Tc）90A（Tj）120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 60A，10V5 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 20A，10V13 毫欧 @ 20A，10V42 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 29µA2.2V @ 8µA3.4V @ 94µA3.8V @ 27µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V24 nC @ 10 V24.2 nC @ 10 V36.7 nC @ 10 V95.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 50 V1525 pF @ 50 V1591 pF @ 40 V2500 pF @ 30 V6952 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
30W（Tc）68W（Tc）71W（Tc）167W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8PG-TDSON-8-43PG-TSDSON-8-32PG-TSDSON-8-33
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TDSON833
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Infineon Technologies
19,662
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.50150
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
13 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 27µA
24 nC @ 10 V
±20V
1525 pF @ 50 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUZ18N10S5L420ATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Infineon Technologies
1,989
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.19934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 8µA
8 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 50 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
6,060
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.33873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 27µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1591 pF @ 40 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,077
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.36785
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tj）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 29µA
36.7 nC @ 10 V
±16V
2500 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Infineon Technologies
13,383
现货
1 : ¥20.28000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.78915
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tj）
-
1.7 毫欧 @ 60A，10V
3.4V @ 94µA
95.9 nC @ 10 V
±20V
6952 pF @ 30 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-43
8-PowerTDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。