Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 8.13 CNY
Availability: InStock

IAUZ18N10S5L420ATMA1
DigiKey 零件编号	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IAUZ18N10S5L420ATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 30W（Tc） PG-TSDSON-8-32
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IAUZ18N10S5L420ATMA1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™-5
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	470 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-8-32
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	IAUZ18