单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）3.5A（Ta）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V50 毫欧 @ 3.5A，10V480 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.15V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V9.7 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
475 pF @ 15 V1790 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）1W（Ta）2.8W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）SC-70-3TSMT3
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SC-96
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
51,006
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
TSMT3
RQ5E035ATTCL
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
112,913
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
475 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
Pkg 5549
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
63,998
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
600mA（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 600mA，10V
3V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。