单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IIIU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Ta)4A(Ta)8A(Tc)25A28A32A(Tc)35A(Tc)56A(Tc)60A(Ta)60A(Tc)65A(Tc)70A(Tc)72A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 15A,10V6 毫欧 @ 20A,10V8.6 毫欧 @ 20A,10V11.2 毫欧 @ 30A,10V11.3 毫欧 @ 15A,10V11.7 毫欧 @ 15A,10V18 毫欧 @ 17A,10V18 毫欧 @ 20A,10V25 毫欧 @ 10.2A,10V40 毫欧 @ 20A,10V52 毫欧 @ 6A,10V55 欧姆 @ 20A,10V70 毫欧 @ 3.8A,10V110 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V13.7 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V25 nC @ 10 V40 nC @ 10 V75 nC @ 10 V106 nC @ 10 V111 nC @ 10 V130 nC @ 10 V135 nC @ 10 V155 nC @ 10 V156 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
785 pF @ 30 V1008 pF @ 25 V1050 pF @ 30 V2200 pF @ 50 V2972 pF @ 30 V3505 pF @ 30 V4370 pF @ 20 V4380 pF @ 15 V5100 pF @ 40 V5814 pF @ 25 V6697 pF @ 20 V6900 pF @ 30 V7760 pF @ 10 V12930 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.08W(Ta)2.6W(Ta),113W(Tc)3W(Ta)3.1W(Ta)3.7W(Ta),52W(Tc)32W(Tc)60W65.8W(Tc)70W(Tj)100W(Tc)104W(Tc)142W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C
供应商器件封装
8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-HSOP8-PPAK(5.1x5.71)DFN5060DPAK+PowerDI5060-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-223SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
47,837
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20649
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
35A(Tc)
4.5V,10V
11.7 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SO-8L
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,067
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.17790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Tc)
6V,10V
25 毫欧 @ 10.2A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 40 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
208,117
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN5060
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,803
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.68658
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
28A
-
40 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
60W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR167DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,184
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.43854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±25V
4380 pF @ 15 V
-
65.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
DFN5060
MCAC25P10YHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
9,302
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.72356
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A
4.5V,10V
55 欧姆 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
70W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
2,346
现货
10,000
工厂
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50550
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
3505 pF @ 30 V
-
2.6W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
2,306
现货
1 : ¥17.57000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.16775
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Ta)
6V,10V
11.2 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 1mA
156 nC @ 10 V
+10V,-20V
7760 pF @ 10 V
-
100W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
HSOP8
RS1L151ATTB1
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
9,542
现货
1 : ¥22.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.02813
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
56A(Tc)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-261-4, TO-261AA
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7,551
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.14195
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
G30N04D3
G08P06D3
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Goford Semiconductor
4,283
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.90300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 6A,10V
3.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
2972 pF @ 30 V
-
32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(3.15x3.05)
8-PowerVDFN
GT045N10D5
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
Goford Semiconductor
2,640
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.96436
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
70A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
106 nC @ 10 V
±20V
6697 pF @ 20 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
G30N04D3
G65P06D5
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Goford Semiconductor
3,728
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.20194
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
65A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
5814 pF @ 25 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
GSGP03150
GSFP6901
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Good-Ark Semiconductor
9,520
现货
1 : ¥15.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.56996
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
72A(Tc)
4.5V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
12930 pF @ 25 V
-
142W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PPAK(5.1x5.71)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。