单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsTransphorm
系列
-CoolGaN™CoolSiC™HiPerFET™, Polar3™SuperGaN®SuperGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V900 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）15A（Tc）16A（Tc）31A（Tc）34A（Tc）34.5A（Tc）36A（Tc）46.5A（Tc）47.2A（Tc）64A（Tc）93A（Tc）127A（Tc）163A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V8V10V12V15V，18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 60A，10V18 毫欧 @ 75A，18V18.4 毫欧 @ 54.3A，18V41 毫欧 @ 30A，10V41 毫欧 @ 32A，10V60 毫欧 @ 25A，10V63 毫欧 @ 22A，10V95 毫欧 @ 32A，10V120 毫欧 @ 5A，6V180 毫欧 @ 8.5A，10V312毫欧 @ 5A，8V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 2，6mA2.6V @ 12mA2.6V @ 500µA4.3V @ 25mA4.4V @ 700µA4.5V @ 1mA4.8V @ 1mA4.8V @ 2mA4.8V @ 500µA4.8V @ 700µA5V @ 4mA5.2V @ 23.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 6 V8 nC @ 10 V9.6 nC @ 8 V15 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V36 nC @ 10 V100 nC @ 10 V145 nC @ 10 V145 nC @ 18 V283 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
-10V+6V，-10V±18V+20V，-5V±20V+22V，-8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 400 V380 pF @ 400 V598 pF @ 400 V760 pF @ 400 V980 pF @ 600 V1000 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V4580 pF @ 800 V4790 pF @ 325 V5218 pF @ 400 V9900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
21W（Tc）83W（Tc）114W（Tc）119W（Tc）125W（Tc）143W（Tc）150W（Tc）156W（Tc）187W（Tc）192W（Tc）266W（Tc）455W（Tc）643W（Tc）1130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）PG-HSOF-8-3PG-LSON-8-1PG-TO247-3PLUS247™-3PowerFlat™（5x6）HVTO-220ABTO-247-3
封装/外壳
3-PowerDFN8-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerVDFNTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,789
现货
1 : ¥94.74000
剪切带（CT）
2,000 : ¥55.82467
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
31A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
140
现货
1 : ¥264.84000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
93A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 60A，10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
140
现货
1 : ¥271.90000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V，-5V
4580 pF @ 800 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,433
现货
1 : ¥29.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.58499
管件
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
6.5A（Tc）
8V
312毫欧 @ 5A，8V
2.6V @ 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PQFN（8x8）
3-PowerDFN
TP65H150G4PS
TP65H150G4PS
GAN FET N-CH 650V TO-220
Transphorm
2,930
现货
1 : ¥54.26000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
16A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 8.5A，10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
1,477
现货
1 : ¥93.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥54.79848
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
15A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
294
现货
1 : ¥115.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
46.5A（Tc）
12V
41 毫欧 @ 30A，10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Nexperia USA Inc.
198
现货
1 : ¥143.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
47.2A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 32A，10V
4.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Nexperia USA Inc.
570
现货
1 : ¥162.63000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
34.5A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 25A，10V
4.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
143W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL015N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
onsemi
157
现货
1 : ¥224.53000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
163A（Tc）
15V，18V
18 毫欧 @ 75A，18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V，-8V
4790 pF @ 325 V
-
643W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXFX64N60P3
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
967
现货
600
工厂
1 : ¥113.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
64A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 32A，10V
5V @ 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
9900 pF @ 25 V
-
1130W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Transphorm
540
现货
1 : ¥174.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
47.2A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 32A，10V
4.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H050G4WS
TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Transphorm
21
现货
1 : ¥155.82000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
36A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 25A，10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SGT120R65AL
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥40.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.78793
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
15A（Tc）
6V
120 毫欧 @ 5A，6V
2.6V @ 12mA
3 nC @ 6 V
+6V，-10V
125 pF @ 400 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
TP90H050WS
TP90H050WS
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Transphorm
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
900 V
34A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 22A，10V
4.4V @ 700µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 600 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。