单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Panjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）8A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.2 毫欧 @ 7A，10V20 毫欧 @ 10A，10V370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.2V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.6 nC @ 4.5 V12.6 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+16V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 15 V763 pF @ 25 V2580 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK33SOT-23
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3421DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
16,442
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
19.2 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
LFPAK33
BUK9M20-40HX
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
8,093
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.31637
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 1mA
12.6 nC @ 10 V
+16V，-10V
763 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
37,515
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
1.8V，4.5V
370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1.3V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
125 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。