单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®SIPMOS®TrenchFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V150 V200 V240 V250 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA（Ta）80mA（Ta）100mA（Ta）115mA（Tc）190mA（Ta），300mA（Tc）200mA（Ta）270mA（Ta）480mA（Ta）600mA（Ta）9.4A（Tc）10A（Tc）13A（Tc）24A（Tc）58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V2.5V，10V3.3V，10V4V，10V4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 29A，10V95 毫欧 @ 14A，10V185 毫欧 @ 6A，10V295 毫欧 @ 6.6A，10V305 毫欧 @ 3.8A，10V1 欧姆 @ 600mA，10V3.5 欧姆 @ 300mA，10V4 欧姆 @ 300mA，10V4.2 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V11 欧姆 @ 300mA，10V14 欧姆 @ 100µA，10V80 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 56µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 500µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 1mA3.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V3.5 nC @ 5 V3.5 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V8 nC @ 10 V20 nC @ 5 V45 nC @ 10 V60 nC @ 10 V66 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V25 pF @ 25 V50 pF @ 25 V76 pF @ 25 V76.8 pF @ 25 V87 pF @ 25 V141 pF @ 50 V188 pF @ 25 V440 pF @ 25 V860 pF @ 25 V890 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V4670 pF @ 20 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）350mW（Ta）360mW（Ta）380mW（Ta）625mW（Ta）750mW（Ta）760mW（Ta）1.1W（Ta）48W（Tc）68W（Tc）87W（Tc）110W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKPG-SOT23PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
74,420
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,392
现货
2,712,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
270mA（Ta）
4V，10V
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,888
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
100mA（Ta）
0V，10V
14 欧姆 @ 100µA，10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,881
现货
177,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50478
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35mA（Ta）
10V
80 欧姆 @ 50mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
79,109
现货
597,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Infineon Technologies
12,564
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.38646
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
4V，10V
185 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR6215TRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
13A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
13,565
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73760
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
58A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 29A，10V
2.4V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
4670 pF @ 20 V
-
87W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23-3
2N7002LT7G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
43,032
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.33719
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Diodes Incorporated
54,061
现货
162,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66535
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
80mA（Ta）
4.5V，10V
100 欧姆 @ 60mA，10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
25 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
5,887
现货
414,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49528
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
480mA（Ta）
3.3V，10V
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H11DS-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,080
现货
297,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.17129
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
270mA（Ta）
4.5V，10V
11 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
6,717
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
200mA（Ta）
2.5V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
1,229
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
24A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 14A，10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPak® SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,802
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.82954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.4A（Tc）
6V，10V
305 毫欧 @ 3.8A，10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。