单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-PolarP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13mA（Tj）60mA（Ta）150mA（Ta）250mA（Tj）550mA（Ta）1.8A（Tc）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2.4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 10A，10V500 毫欧 @ 1.1A，10V2.5 欧姆 @ 750mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V13 欧姆 @ 400mA，10V25 欧姆 @ 100mA，10V1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.4V @ 1mA3V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V103 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V35 pF @ 18 V45 pF @ 25 V100 pF @ 25 V150 pF @ 25 V270 pF @ 25 V5120 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）360mW（Ta）1.5W（Ta）1.6W（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）460W（Tc）
供应商器件封装
SOT-223SOT-23-3TO-243AA（SOT-89）TO-268AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AATO-261-4，TO-261AATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3306FTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
31,940
现货
480,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,529
现货
7,191,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
60mA（Ta）
10V
25 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Microchip Technology
37,114
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.03763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223
BSP122,115
MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Nexperia USA Inc.
7,049
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.78415
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
550mA（Ta）
2.4V，10V
2.5 欧姆 @ 750mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
4,681
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.36318
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
C04-029 MB
VN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Microchip Technology
7,356
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.27708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
250mA（Tj）
4.5V，10V
13 欧姆 @ 400mA，10V
4V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO-268
IXTT20P50P
MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥119.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 25 V
-
460W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。