单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7OptiMOS™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
60 V100 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta),300mA(Tc)1.2A(Ta)5.2A(Tc)10A(Ta)23.8A(Tc)37A(Tc)47A(Tc)180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 毫欧 @ 100A,10V70 毫欧 @ 30A,10V80 毫欧 @ 11.8A,10V133 毫欧 @ 5A,10V160 毫欧 @ 11.3A,10V250 毫欧 @ 1.8A,10V1.8 欧姆 @ 2.6A,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 275µA3.5V @ 750µA3.9V @ 2.7mA4V @ 590µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 10 V18 nC @ 10 V40 nC @ 10 V51 nC @ 10 V75 nC @ 10 V200 nC @ 10 V320 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 10 V166 pF @ 40 V700 pF @ 25 V1138 pF @ 25 V1660 pF @ 100 V2180 pF @ 400 V6800 pF @ 25 V14600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
265mW(Ta),1.33W(Tc)625mW(Ta)20W(Tc)34W(Tc)125W(Tc)129W(Tc)300W(Tc)415W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO263-7-3SOT-23-3TO-236ABTO-252
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,292
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.20992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
867
现货
1 : ¥41.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,117
现货
1 : ¥49.83000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.27399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
1,197
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 30A,10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
SOT-23-3
ZXMN6A07FQTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Diodes Incorporated
2,466
现货
3,552,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.37068
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TO-220-FP
IPA60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Infineon Technologies
995
现货
1 : ¥32.02000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23.8A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 11.3A,10V
3.5V @ 750µA
75 nC @ 10 V
±20V
1660 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
RB098BM-40FNSTL
RD3P100SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rohm Semiconductor
2,634
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Ta)
4V,10V
133 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D²PAK
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STMicroelectronics
926
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.99671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.2A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
4.5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1138 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。