单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）6.3A（Ta）25A（Tc）50A（Tc）90A（Tc）140A（Tc）250A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，10V2.5 毫欧 @ 90A，10V9 毫欧 @ 70A，10V9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V15 毫欧 @ 17A，10V21 毫欧 @ 6.3A，4.5V365 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 10µA2.8V @ 95µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.9 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V71 nC @ 10 V93.8 nC @ 8 V147 nC @ 10 V165 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±15V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
549 pF @ 50 V700 pF @ 16 V2760 pF @ 10 V4950 pF @ 25 V5200 pF @ 30 V9871 pF @ 50 V13500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
710mW（Ta），8.3W（Tc）1.3W（Ta）3W（Ta），136W（Tc）3W（Ta），167W（Tc）3.6W（Ta），33W（Tc）6W（Ta），250W（Tc）298W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TO252-3POWERDI1012-8PowerPAK® 1212-8TO-220-3TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® 1212-8TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
461,285
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.3A（Ta）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
28,248
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
IXTP140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Littelfuse Inc.
9,266
现货
1 : ¥61.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
140A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-236AB
PMV240SPR
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
4,206
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
-
365 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
549 pF @ 50 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
48,826
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97605
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
25A（Tc）
1.8V，4.5V
9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V
1V @ 250µA
93.8 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 10 V
-
3.6W（Ta），33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO252-3
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
10,179
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.49201
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 90A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
3W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-PowerSFN
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
1,463
现货
33,000
工厂
1 : ¥30.62000
剪切带（CT）
1,500 : ¥20.36546
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
250A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±20V
9871 pF @ 50 V
-
6W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。