单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDInfineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIOptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）6.3A（Tc）13A（Tc）50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 30A，10V25 毫欧 @ 3A，10V40 毫欧 @ 5A，10V5 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
18 pF @ 30 V283 pF @ 24 V325 pF @ 15 V2400 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.7W（Ta），2.7W（Tc）2.4W（Tc）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPG-TO252-3PowerFlat™（2x2）SOT-23
封装/外壳
6-PowerWDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
94,381
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.3A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
325 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-WDFN Exposed Pad
STL6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
STMicroelectronics
2,249
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.34302
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 3A，10V
1V @ 250µA（最小）
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
283 pF @ 24 V
-
2.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（2x2）
6-PowerWDFN
TO252-3
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,265
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05588
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
77,384
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19369
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。