单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
760mA(Ta)1.2A(Ta)2.7A(Ta)3A(Ta)3.6A(Ta)3.8A(Ta)4.2A(Ta)4.3A(Ta)6.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 6.3A,4.5V45 毫欧 @ 4.2A,4.5V50 毫欧 @ 4.3A,4.5V56 毫欧 @ 3.6A,10V65 毫欧 @ 3.8A,10V80 毫欧 @ 3A,10V92 毫欧 @ 2.7A,10V250 毫欧 @ 910mA,10V250 毫欧 @ 930mA,4.5V600 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)950mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V8.9 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V12 nC @ 5 V15 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
75 pF @ 25 V85 pF @ 25 V110 pF @ 15 V266 pF @ 25 V290 pF @ 25 V563 pF @ 25 V600 pF @ 15 V700 pF @ 16 V740 pF @ 15 V830 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
540mW(Ta)1.08W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
461,285
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V,4.5V
21 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
56,165
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77862
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
760mA(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
110,964
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
62,658
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
132,189
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 910mA,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
38,864
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06410
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.6A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 3.6A,10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
85,289
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
18,250
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
92 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAT54
SSF3365
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -30V,
Good-Ark Semiconductor
5,561
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47677
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。