单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
HEXFET®TrenchMOS™UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
60 V75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）43A（Tc）75A（Tc）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 25A，10V9 毫欧 @ 46A，10V10 毫欧 @ 75A，10V15.8 毫欧 @ 25A，10V90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V37 nC @ 10 V84 nC @ 10 V168 nC @ 10 V235 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V1150 pF @ 50 V3070 pF @ 50 V3750 pF @ 25 V8300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），70W（Tc）71W（Tc）140W（Tc）230W（Tc）270W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKTO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
20,484
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
800 : ¥4.72505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,157
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
800 : ¥5.57179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3806TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Infineon Technologies
2,028
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
800 : ¥6.00424
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
43A（Tc）
10V
15.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN004-60B,118
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
7,387
现货
1 : ¥22.08000
剪切带（CT）
800 : ¥13.33836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
75A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
168 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
HUF75545S3ST
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
onsemi
65,370
现货
37,600
工厂
1 : ¥28.65000
剪切带（CT）
800 : ¥17.30821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
75A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
235 nC @ 20 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
270W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。