单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）14.5A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V44 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V3135 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
220mW（Ta），1.06W（Tc）3.2W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
5,621
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.74332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-323
NX7002AKW,115
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Nexperia USA Inc.
95,846
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
220mW（Ta），1.06W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。