单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）300mA（Ta）4A（Ta）95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 25A，10V39 毫欧 @ 4A，4.5V3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.1 pF @ 15 V21.5 pF @ 15 V294 pF @ 10 V3007 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）300mW（Ta）900mW（Ta）90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3415U-7
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
16,585
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±8V
294 pF @ 10 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Diodes Incorporated
70,993
现货
2,256,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44806
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
230mA（Ta）
1.2V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±10V
14.1 pF @ 15 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
LFPAK33
PSMN4R3-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,929
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.87356
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
95A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 25A，10V
2.15V @ 1mA
43 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
SOT-523
DMN2991UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
2,800
现货
456,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.5V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±10V
21.5 pF @ 15 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN2991UT-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
470,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.43768
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.5V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±10V
21.5 pF @ 15 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。