单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）21A（Ta），190A（Tc）88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 50A，10V10.7 毫欧 @ 88A，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 270µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V7100 pF @ 100 V7300 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）3.8W（Ta），319W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-TO263-3SOT-323
封装/外壳
16-PowerSOP 模块SC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
5,232
现货
1 : ¥64.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥36.61918
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
10.7 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
44,412
现货
393,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
0
现货
查看交期
1 : ¥65.68000
剪切带（CT）
1,800 : ¥37.24825
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。