单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）4A（Ta）35.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31.9 毫欧 @ 10A，10V52 毫欧 @ 4A，10V680 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 10µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.7 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
47 pF @ 30 V464 pF @ 15 V1380 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.4W104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3402LQ-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
11,664
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94057
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
BSS138BKAHZGT116
NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Rohm Semiconductor
6,372
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
2.5V，10V
680 毫欧 @ 400mA，10V
2V @ 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,204
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.69964
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35.4A（Tc）
7.5V，10V
31.9 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。