单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
25 V30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A(Ta),60A(Tc)40.2A(Ta),263A(Tc)286A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 23A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V5.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.1 nC @ 4.5 V217 nC @ 4.5 V232 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+16V,-12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100 pF @ 12.5 V14950 pF @ 15 V17140 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta)3.3W(Ta),138.9W(Tc)340W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-VSON-CLIP(3.3x3.3)LFPAK88(SOT1235)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线SOT-1235
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD1632x Series 8-SON
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Texas Instruments
4,649
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67691
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
19A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
8.1 nC @ 4.5 V
+16V,-12V
1100 pF @ 12.5 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
5,798
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.09459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.2A(Ta),263A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),138.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥46.47000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.60303
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
286A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。