单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）3.3A（Ta）50A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 40A，10V8.1 毫欧 @ 22A，10V72 毫欧 @ 4.2A，10V6 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3.8V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.9 nC @ 10 V38 nC @ 10 V159 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V708 pF @ 15 V2700 pF @ 50 V5380 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）700mW（Ta）2.5W（Ta），73.5W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-23-3TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
269,650
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
159,121
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,200
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.88956
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
8.1 毫欧 @ 22A，10V
2.5V @ 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），73.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Infineon Technologies
34,718
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.31405
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。