单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）200mA（Ta）260mA（Ta）12A（Tc）14.5A（Ta），47A（Tc）28A（Tc）32A（Tc）48A（Tc）56A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7mOhm @ 14.5A，10V16 毫欧 @ 28A，10V19 毫欧 @ 20A，10V20 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V33 毫欧 @ 10A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V500 毫欧 @ 7.2A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.7V @ 200µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.6V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V1.8 nC @ 10 V23.1 nC @ 10 V37 nC @ 10 V44 nC @ 10 V90 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V326 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V26.7 pF @ 25 V50 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1820 pF @ 75 V1880 pF @ 30 V3395 pF @ 50 V4500 pF @ 25 V4600 pF @ 50 V4700 pF @ 40 V11100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）300mW（Tj）350mW（Ta）3W（Ta）5.2W（Ta），83.3W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）68W（Tc）89W（Tc）96W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HSOPPG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3（TO-236）TO-247ACTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
446,656
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
564,661
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
18,361
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,338
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.42912
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,026
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
8,034
现货
1 : ¥35.63000
剪切带（CT）
800 : ¥21.49265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
3,288
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.36693
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
56A（Tc）
8V，10V
16 毫欧 @ 28A，10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1L145GNTB
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Rohm Semiconductor
594
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.46613
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14.5A（Ta），47A（Tc）
4.5V，10V
9.7mOhm @ 14.5A，10V
2.7V @ 200µA
37 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,684
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 AC EP
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥25.53000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.39993
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
48A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
3395 pF @ 50 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。