单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)1A(Ta)1.9A(Ta),2.7A(Tc)2.7A(Ta)3.9A(Ta)5.2A(Ta)5.8A(Ta)5.8A(Tc)6.4A(Ta),8A(Tc)12.7A(Ta),18.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.5 毫欧 @ 10A,10V31 毫欧 @ 5A,4.5V31.2 毫欧 @ 5A,10V34 毫欧 @ 5.2A,4.5V35 毫欧 @ 4.4A,4.5V40 毫欧 @ 5.8A,10V100 毫欧 @ 2.7A,4.5V190 毫欧 @ 1.9A,10V450 毫欧 @ 600mA,4.5V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.25V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 25µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.74 nC @ 4.5 V5.3 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±12V+16V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V155 pF @ 15 V250 pF @ 10 V580 pF @ 15 V595 pF @ 25 V960 pF @ 4 V1575 pF @ 10 V1620 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)290mW(Ta)550mW(Ta),6.25W(Tc)750mW(Ta)960mW(Ta),1.7W(Tc)1W(Ta),2.3W(Tc)1.08W(Ta)2W(Ta)2W(Ta),3W(Tc)2.3W(Ta),4.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICSOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323UMT3F
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SC-85SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
643,448
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
532,280
现货
8,961,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1A(Ta)
1.8V,4.5V
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMP2215L-7
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
59,758
现货
54,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,242
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30XPX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
114,775
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00732
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.2A(Ta)
1.5V,4.5V
34 毫欧 @ 5.2A,4.5V
900mV @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1575 pF @ 10 V
-
550mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SOT-23-6
IRFTS9342TRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Infineon Technologies
22,851
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5.8A,10V
2.4V @ 25µA
12 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
TSOP-6-Single
SI3483DDV-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
16,559
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.4A(Ta),8A(Tc)
4.5V,10V
31.2 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
+16V,-20V
580 pF @ 15 V
-
2W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
42,363
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 5A,4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4425FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
11,817
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.14223
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.7A(Ta),18.3A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
41 nC @ 10 V
+16V,-20V
1620 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
SI2303CDS-T1-BE3
MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Vishay Siliconix
5,660
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.9A(Ta),2.7A(Tc)
4.5V,10V
190 毫欧 @ 1.9A,10V
3V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 15 V
-
1W(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。