单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140mA（Ta）230mA（Ta）4A（Ta）8.83A（Ta）19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6.2V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 12.4A，10V50 毫欧 @ 4A，10V300 毫欧 @ 10A，6.2V3.5 欧姆 @ 230mA，10V50 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 26µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V12 nC @ 5 V13 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 25 V70 pF @ 25 V420 pF @ 25 V750 pF @ 15 V2000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）1.6W（Ta）2W（Ta）2.5W（Ta），6W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-SOT23PG-TO252-3SOT-223-3SuperSOT™-6
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
118,707
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54535
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN0545GTA
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
Diodes Incorporated
42,042
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.97367
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
140mA（Ta）
10V
50 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
70 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-SOIC
SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
38,363
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 12.4A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SG6858TZ
FDC658P
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
20,449
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.49080
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
10V
50 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±20V
750 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO252-3
SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Infineon Technologies
8,130
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.76493
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.83A（Ta）
6.2V
300 毫欧 @ 10A，6.2V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。