单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™QFET®ThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）3A（Tc）4.3A（Ta），14.4A（Tc）10.9A（Tc）14.5A（Ta），46A（Tc）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 20A，10V50mOhm @ 22A，10V102 毫欧 @ 4.3A，10V155 毫欧 @ 3.8A，10V165 毫欧 @ 5.5A，10V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 32µA4V @ 60µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V11.4 nC @ 10 V15 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V23 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V860 pF @ 100 V920 pF @ 100 V1307 pF @ 50 V1580 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）5W（Ta），56.8W（Tc）7.4W（Ta），78W（Tc）42W（Tc）62.5W（Tc）96W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-MLP（3.3x3.3）PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Infineon Technologies
9,898
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.14954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
10.9A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 5.5A，10V
4V @ 32µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
1,029
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.70160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PG-TDSON-8-1
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Infineon Technologies
5,397
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.08885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
24A（Tc）
10V
50mOhm @ 22A，10V
4V @ 60µA
15 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 100 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7434DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,379
现货
1 : ¥24.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.07961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
2.3A（Ta）
6V，10V
155 毫欧 @ 3.8A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.69964
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
4.3A（Ta），14.4A（Tc）
7.5V，10V
102 毫欧 @ 4.3A，10V
4V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 100 V
-
5W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-DFN
AON6298
MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.62924
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），46A（Tc）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1307 pF @ 50 V
-
7.4W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。