单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）310mA（Ta）6A（Ta），23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 12A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 12µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V630 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）370mW（Ta）2.1W（Ta），32W（Tc）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,400
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
47,709
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PG-TSDSON-8
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Infineon Technologies
43,141
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.13660
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
6A（Ta），23A（Tc）
6V，10V
34 毫欧 @ 12A，10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 40 V
-
2.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。