单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-FemtoFET™NexFET™OptiMOS®-P2PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）350mA（Ta）360mA（Ta）2.2A（Ta）3A（Ta）6A（Ta）20A（Ta）32A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 90A，10V10.2 毫欧 @ 8A，10V21 毫欧 @ 10A，10V43 毫欧 @ 6A，10V65 毫欧 @ 1A，10V105 毫欧 @ 3A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.9V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V12.4 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V24 nC @ 10 V36 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 10 V56 pF @ 10 V759 pF @ 30 V777 pF @ 30 V998 pF @ 15 V1260 pF @ 20 V1469 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）300mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta）500mW（Ta）1.6W（Ta）3.2W（Ta），29W（Tc）15W（Tc）55W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
3-PICOSTAR8-VSONP（3x3.3）DFN2020MD-6LFPAK33PG-TO252-3-313SOT-23-3（TO-236）SOT-323SuperSOT™-6TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，无引线6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
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10结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
785,926
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,122
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
228,279
现货
363,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49899
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
458,643
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
19,576
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30183
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 6A，10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
22,227
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
8,872
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.38390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 90A，10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V，-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
7,610
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 1A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD，无引线
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38,174
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
LFPAK33
BUK9M24-60EX
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,707
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.75209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
5V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
12.4 nC @ 5 V
±10V
1469 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。