单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）270mA（Ta）590mA（Ta）600mA（Ta）2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V480 毫欧 @ 600mA，10V495 毫欧 @ 400mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）800mV @ 1mA850mV @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.54 nC @ 8 V5.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V+12V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V26 pF @ 10 V80 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）280mW（Ta）350mW（Tc）420mW（Ta），4.2W（Tc）710mW（Ta）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN1110D-3SC-70-3SOT-23-3（TO-236）SOT-523SST3
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
281,225
现货
900,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66248
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
590mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
700mV @ 250µA（典型值）
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
7-PDIP Less Pin 6
RYC002N05T316
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
27,970
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
350mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
17,980
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
3-XFDFN Exposed Pad
BSS84AKQBZ
BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
10,124
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.59388
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
270mA（Ta）
4.5V，10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
+12V，-20V
23.2 pF @ 25 V
-
420mW（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
DFN1110D-3
3-XDFN 裸露焊盘
SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
24,882
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
600mA（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 600mA，10V
3V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。