单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
GeneSiC SemiconductorMicrochip TechnologyonsemiQorvoWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™G3R™
包装
散装管件
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
900 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53A（Tc）58A（Tc）65A（Tc）90A（Tc）102A（Tc）103A（Tc）113A（Tc）115A（Tc）116A（Tc）120A（Tc）128A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V15V15V，18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11毫欧 @ 100A，12V22 毫欧 @ 40A，20V22.3 毫欧 @ 75A，15V24 毫欧 @ 60A，15V28 毫欧 @ 60A，15V28毫欧 @ 60A，20V31 毫欧 @ 40A，20V36 毫欧 @ 50A，15V39 毫欧 @ 20A，12V45毫欧 @ 40A，12V56毫欧 @ 35A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.7V @ 4.5mA（典型值）2.8V @ 3mA3.6V @ 23mA4，3V @ 10mA4.3V @ 20mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 800 V43 nC @ 12 V106 nC @ 20 V155 nC @ 15 V196 nC @ 15 V203 nC @ 20 V207 nC @ 15 V219 nC @ 15 V220 nC @ 20 V232 nC @ 20 V234 nC @ 15 V249 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±15V±20V+22V，-10V+22V，-8V+23V，-10V+25V，-15V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1450 pF @ 15 V1500 pF @ 100 V1762 pF @ 800 V2890 pF @ 800 V2943 pF @ 800 V3020 pF @ 1000 V3901 pF @ 800 V4415 pF @ 450 V5280 pF @ 1000 V5873 pF @ 800 V6085 pF @ 1000 V8512 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
319W（Tc）341W（Tc）400W（Tc）429W（Tc）455W（Tc）484W（Tc）500W（Tc）510W（Tc）535W（Tc）542W（Tc）556W（Tc）789W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247-4TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,489
现货
1 : ¥184.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,056
现货
1 : ¥296.29000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
128A（Tc）
15V
24 毫欧 @ 60A，15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
1,403
现货
1 : ¥420.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
102A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V，-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4L
UF3SC120009K4S
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Qorvo
1,042
现货
1 : ¥505.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
120A（Tc）
12V
11毫欧 @ 100A，12V
6V @ 10mA
234 nC @ 15 V
±20V
8512 pF @ 100 V
-
789W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,407
现货
1 : ¥597.60000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
115A（Tc）
15V
22.3 毫欧 @ 75A，15V
3.6V @ 23mA
207 nC @ 15 V
+15V，-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4L
UF4SC120030K4S
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,304
现货
1 : ¥142.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
53A（Tc）
12V
39 毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 800 V
±20V
1450 pF @ 15 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Qorvo
806
现货
1 : ¥220.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
65A（Tc）
12V
45毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
NTHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
463
现货
1 : ¥305.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
103A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
203 nC @ 20 V
+25V，-15V
2890 pF @ 800 V
-
535W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
313
现货
1 : ¥306.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
102A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V，-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
364
现货
900
工厂
1 : ¥145.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
58A（Tc）
20V
56毫欧 @ 35A，20V
4，3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V，-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
MSC025SMA120B4
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥339.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
103A（Tc）
20V
31 毫欧 @ 40A，20V
2.8V @ 3mA
232 nC @ 20 V
+23V，-10V
3020 pF @ 1000 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
MSC017SMA120B
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
32
现货
1 : ¥382.25000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
113A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+22V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC017SMA120B4
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
31
现货
1 : ¥393.66000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
113A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+22V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥297.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
116A（Tc）
15V，18V
28 毫欧 @ 60A，15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+22V，-8V
4415 pF @ 450 V
-
484W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。