单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Tc）3.6A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 25A，10V24 毫欧 @ 5A，4.5V270 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V17.8 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 40 V1540 pF @ 16 V3776 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）760mW（Ta），2.5W（Tc）131W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,265
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
270 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW（Ta），2.5W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R6-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
113,044
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.70582
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
63 nC @ 10 V
±20V
3776 pF @ 12 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT 23-3
NTR3C21NZT1G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
10,482
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。