单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）13.3A（Ta），57A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13.5A，10V14 毫欧 @ 5A，10V42 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V12 nC @ 10 V33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 20 V702 pF @ 20 V1925 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.1W（Tc）2.6W（Ta）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3（TO-236）TO-252-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
28,857
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN014-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
30,925
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.20899
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 20 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO-252-2
DMT6009LK3-13
MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Diodes Incorporated
5,552
现货
75,000
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19693
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13.3A（Ta），57A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 13.5A，10V
2V @ 250µA
33.5 nC @ 10 V
±16V
1925 pF @ 30 V
-
2.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。