单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™ 5TrenchMOS™U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）23A（Ta），135A（Tc）26A（Tc）60A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V6.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 50A，10V2.3 毫欧 @ 30A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V11.4mOhm @ 13A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 38µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA3V @ 500µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V56 nC @ 10 V62 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V1625 pF @ 30 V3500 pF @ 30 V5855 pF @ 20 V6100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
610mW（Ta），61W（Tc）830mW（Ta）960mW（Ta），132W（Tc）1.6W（Ta），78W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-TSON Advance（3.1x3.1）PG-TDSON-8TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
617,956
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
33,932
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.85733
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
11.4mOhm @ 13A，10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW（Ta），61W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8 FL
ISC0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Infineon Technologies
5,550
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.43312
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），135A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 38µA
56 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
30,702
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.57697
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 500µA
62 nC @ 10 V
±20V
5855 pF @ 20 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
1,172
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.89067
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
6.5V，10V
2.3 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。