单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）18A（Tj）61A（Tc）85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.3 毫欧 @ 15A，10V12 毫欧 @ 25A，10V71 毫欧 @ 5A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V23 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V773 pF @ 50 V1368 pF @ 30 V5067 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）65W（Tc）91W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
127,587
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
40,142
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.64963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tj）
10V
71 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK33
PSMN011-60MSX
MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,899
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.50635
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
61A（Tc）
10V
11.3 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1368 pF @ 30 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-100EX
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,700
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.01019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
85A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
68 nC @ 10 V
±20V
5067 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。