单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCNexperia USA Inc.
系列
eGaN®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta）16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 16A，5V19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 5 V18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
685 pF @ 50 V1150 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020M-6模具
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,226
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
6-DFN2020MD_View 2
PMPB16R5XNEX
PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR
Nexperia USA Inc.
7,950
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84047
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7A（Ta）
1.5V，4.5V
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
900mV @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。