单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIHEXFET®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V80 V100 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）190mA（Ta）200mA（Ta）600mA（Ta）2.5A（Ta）3A（Ta）90A（Tc）100A（Tc）110A（Tc）120A（Tc）130A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 55A，10V4.2 毫欧 @ 50A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 106A，10V5 毫欧 @ 100A，10V5 毫欧 @ 25A，10V6 毫欧 @ 75A，10V6.8 毫欧 @ 15A，10V6.9 毫欧 @ 15A，10V9 毫欧 @ 45A，10V102 毫欧 @ 2.5A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V1 欧姆 @ 600mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 120µA3.5V @ 150µA4V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V66 nC @ 10 V71 nC @ 10 V72 nC @ 10 V91 nC @ 10 V117 nC @ 10 V125 nC @ 10 V170 nC @ 10 V180 nC @ 10 V215 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V50 pF @ 10 V60 pF @ 25 V141 pF @ 50 V476 pF @ 10 V550 pF @ 10 V4461 pF @ 40 V4600 pF @ 50 V4600 pF @ 60 V6540 pF @ 25 V6686 pF @ 50 V6860 pF @ 50 V8115 pF @ 50 V8410 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）490mW（Ta），5W（Tc）625mW（Ta）830mW（Tc）1.5W（Ta）138W190W（Tc）210W（Tc）214W（Tc）250W（Tc）260W（Tc）269W（Tc）357W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKH2PAK-2PG-TO263-3SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
147,707
现货
10,269,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
101,520
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
79,109
现货
597,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56999
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
29,576
现货
1 : ¥27.42000
剪切带（CT）
800 : ¥16.57654
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
4.7 毫欧 @ 106A，10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-236AB
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,429
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138TA
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
13,670
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58846
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV75UP,215
MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,929
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
102 毫欧 @ 2.5A，4.5V
900mV @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
13,416
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.60160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 120µA
91 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,244
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.64232
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4.2 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN7R0-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
2,986
现货
1 : ¥22.82000
剪切带（CT）
800 : ¥12.75306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
10V
6.8 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
125 nC @ 10 V
±20V
6686 pF @ 50 V
-
269W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥26.27000
剪切带（CT）
800 : ¥15.83891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK765R0-100E,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
13,184
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
800 : ¥18.54415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
180 nC @ 10 V
±20V
11810 pF @ 25 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK
MCB130N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Micro Commercial Co
6,446
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
800 : ¥6.46499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
130A（Tc）
10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
260W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN6R5-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4,182
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
800 : ¥10.24741
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
6.9 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
71 nC @ 10 V
±20V
4461 pF @ 40 V
-
210W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK
MCB90N12A-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
1,545
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
800 : ¥6.63841
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
90A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 45A，10V
3V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 60 V
-
138W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
H2PAK
STH150N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥30.21000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.61933
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
110A（Tc）
10V
3.9 毫欧 @ 55A，10V
4.5V @ 250µA
117 nC @ 10 V
±20V
8115 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。