单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Tc）4.5A（Ta）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 30A，10V40 毫欧 @ 4.5A，4.5V177 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 30 V635 pF @ 15 V3224 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
530mW（Ta），4.46W（Tc）2W（Tc）2.9W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPowerDI5060-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-74，SOT-457TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30UNX
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
7,783
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta）
1.5V，4.5V
40 毫欧 @ 4.5A，4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
530mW（Ta），4.46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
DMPH4015SPSQ-13
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
6,377
现货
132,500
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.42852
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
90A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3224 pF @ 60 V
-
2.9W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
SOT-23-3
SQ2361ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
91,129
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88700
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.8A（Tc）
4.5V，10V
177 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。